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❒ 快閃記憶體(Flash ROM)的構造
快閃記憶體的構造及工作原理與EEP-ROM相似，如＜圖一＞所示，中央P型矽晶圓上方的絕緣層「氧化矽」厚度比較薄，存取資料的原理是以高電壓(通常大於10V)使電子由左方N型的源極「穿隧(Tunneling)」氧化矽儲存在「浮動閘極(FG：Floating Gate)」；再以高電壓吸引浮動閘極內的電子由右方N型的汲極流出。不同的是以大區塊(通常是千位元組KB)為清除單位來抹除資料，故稱為「快閃(Flash)」。

➤來源線(Source line)：電荷的來源，因為使用NMOS所以電荷是電子。
➤位元線(Bit line)：用來偵測是否導通，讀取這個位元是0或1。
➤字元線(Word line)：控制閘極用來控制下方是否產生電子通道。

圖一　快閃記憶體(Flash ROM)的構造示意圖。

❒ 快閃記憶體(Flash ROM)的種類
➤NOR閘型快閃記憶體(NOR flash)：容量較低，存取速度較快，價格較高，又稱為「Code storage flash」，如＜圖二(a)所示＞，由於單元(Cell)連結方式與NOR閘相同所以稱為「NOR閘型」，一般用來儲存資料量較少的軟體程式，例如：行動電話的開機程式與作業系統。
NOR閘型快閃記憶體的每個單元(Cell)以並聯的方式連接到位元線，方便對每一個位元進行隨機存取，具有專用的位址線，可以一次性的直接尋址，而且可以「原地執行(XIP：eXecute In Place)」；縮短了處理器指令的執行時間，但是相同記憶容量尺寸比NAND閘型大一倍，通常微處理器(MCU)內建的嵌入式非揮發性記憶體都是使用NOR閘型快閃記憶體。
➤NAND閘型快閃記憶體(NAND flash)：容量較高，存取速度較慢，價格較低，又稱為「Data storage flash」，如＜圖二(b)所示＞，由於單元(Cell)連結方式與NAND閘相同所以稱為「NAND閘型」，一般用來儲存資料量較大的使用者資料庫，例如：行動電話的作業系統與應用程式(APP)、錄音筆的錄音內容、數位相機與數位錄影機的記憶卡等。
NAND閘型快閃記憶體的每個存儲單元以串聯的方式連接到位元線，分為Bank、Plane、Block、Page等，如果每個Page是512Byte就有512個8位元，也就是每個Page有512條位元線，每條位元線有8個存儲單元。

圖二　快閃記憶體(Flash ROM)的單元(Cell)連結方式示意圖。

NAND閘型快閃記憶體雖然不可快速隨機存取，但是這個問題可以利用修改控制晶片來解決，同時大幅提升存取速度，所以目前所有智慧型手機內的作業系統(例如：Android、iOS、Windows phone等)，都是使用NAND閘型快閃記憶體來儲存。大家猜猜看，目前世界上使用量最大的快閃記憶體是NOR閘型或NAND閘型呢？因為NOR閘型都是用在儲存開機用的作業系統，所以使用量很小，但是NAND閘型主要是用來儲存資料，再加上製程線寬不斷縮小，32GB以上的NAND閘型已經非常普及，所以用量最大的當然是NAND閘型快閃記憶體囉！目前甚至可以結合控制晶片與大容量的NAND閘型快閃記憶體，用來取代傳統的硬碟機應用在平板電腦或筆記型電腦上，我們稱為「固態硬碟(SSD：Solid State Disk)」。

❒ 電荷儲存式快閃記憶體(CTF：Charge Trap Flash)
傳統的快閃記憶體(Flash memory)是使用多晶矽來製作「浮動閘極(FG：Floating Gate)」，由於多晶矽儲存電荷的效果不佳，後來廠商使用「氮化矽(SiN)」薄膜取代「多晶矽(Poly Silicon)」做為浮動閘極，工作原理與快閃記憶體相同，為了有別於傳統的快閃記憶體所以為它取了新名字稱為「電荷儲存式快閃記憶體(CTF：Charge Trap Flash)」。知識力www.ansforce.com。
➤SONOS架構：使用「氮化矽(SiN)」薄膜取代「多晶矽(Poly Silicon)」做為浮動閘極，由上而下為多晶矽／氧化矽／氮化矽／氧化矽／單晶矽，如＜圖三(a)＞所示。
➤TANOS架構：由上而下為鉭(Tantalum)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)與矽晶層(Silicon)組成的電荷儲存式快閃記憶體，如＜圖三(b)＞所示。

圖三　電荷儲存式快閃記憶體(CTF)結構示意圖。

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