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❒ 直接能隙(Direct bandgap)
「直接能隙(Direct bandgap)」是指電子吸收了外加能量以後可以由價電帶跳躍到導電帶，而且電子可以「直接」由導電帶落回價電帶，因此能量可以完全以「光能」的型式釋放出來，如＜圖一＞所示，所以發光效率很高，例如：砷化鎵(GaAs)的能帶結構就是屬於直接能隙。
在「直接能隙」的半導體中，電子在由導電帶落回價電帶的行為，可以想像成一個人由頂樓「直接」跳到一樓，由於能量沒有被轉換掉，所以落地以後會受傷。知識力www.ansforce.com。

圖一　直接能隙示意圖。

❒ 間接能隙(Indirect bandgap)
「間接能隙(Indirect bandgap)」是指電子吸收了外加能量以後可以由價電帶跳躍到導電帶，但是電子只能「間接」由導電帶落回價電帶，所謂的「間接」可以想像成在能隙中有一個可以讓電子停留的位置，如＜圖二＞所示，當電子由導電帶落回價電帶時，會先在這個位置上停留一下，將大部分的能量轉換為「熱能」以後，再落回價電帶，由於大部分的能量已經轉換成熱能，根據能量守恆定律，這個電子所剩下的光能就很少了，因此最後能夠釋放出來的光能很少，所以發光效率很低，例如：矽(Si)的能帶結構就是屬於間接能隙。知識力www.ansforce.com。
在「間接能隙」的半導體中，電子由導電帶落回價電帶的行為，可以想像成一個人由頂樓「間接」跳到一樓，意思是跳樓的過程中不小心落到一樓的遮陽棚，彈了一下，翻了兩圈，再落到地面，由於能量被轉換掉，所以落地以後沒有受傷。

圖二　間接能隙示意圖。

❒ 半導體的吸光效率
直接能隙的半導體(砷化鎵晶圓)，電子吸收了外加能量以後由價電帶跳躍到導電帶的情形如＜圖一＞所示；間接能隙的半導體(矽晶圓)，電子吸收了外加能量以後由價電帶跳躍到導電帶的情形如＜圖二＞所示，比較之後可以發現，半導體發吸光的行為極為相似，因此不論直接能隙的半導體(砷化鎵晶圓)或間接能隙的半導體(矽晶圓)都可以用來製作吸光元件，例如：數位相機所使用的CCD或CMOS影像感測器，都是利用矽晶圓來做為「光偵測器(PD：Photo Detector)」，而太陽電池也是使用矽晶圓來做為吸光元件。

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