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❒ 光阻圖佈與軟烤(Soft baking)
➤光阻塗佈：使用「光阻塗佈機(Spin coater)」，以真空吸座吸住矽晶圓，由上方滴入光阻液並且使矽晶圓高速旋轉，光阻液被離心力甩開，在表面形成大約1μm的光阻層，光阻塗佈機的原理請參考這裡。
➤軟烤(Soft baking)：以烤箱加熱使光阻中的溶劑揮發，此時光阻還有點軟。

❒ 圖形轉移與硬烤(Hard baking)
➤光學曝光：使用光學曝光系統，以紫外光照射光罩再投影到光阻層，被紫外光照射過的區域光阻化學鍵結被破壞，使光阻容易被化學藥品溶解掉，如＜圖一(a)＞所示。由於光學曝光系統中的透鏡組會將光罩上的圖形(假設製程節點大約100nm)，縮小大約十分之一，所以投影在矽晶圓上的製程節點只有大約10nm。
➤硬烤(Hard baking)：以烤箱加熱使光阻中殘留的溶劑揮發，並且使光阻變硬。
➤化學顯影：使用「第一種化學藥品(顯影液)」將化學鍵結被破壞區域的光阻溶解掉，如＜圖一(b)＞所示，顯影液通常都是有機化學溶劑。知識力www.ansforce.com。
➤蝕刻技術：使用「第二種化學藥品(蝕刻液)」將沒有光阻保護區域的氧化矽溶解掉，如＜圖一(c)＞所示，蝕刻液通常都是具有腐蝕性的強酸。
➤光阻去除：使用「第三種化學藥品(去光阻液)」將殘留的光阻溶解掉，如＜圖一(d)＞所示，去光阻液通常也都是有機化學溶劑，但是與顯影液不同。

圖一　圖形轉移的步驟。

資料來源：張俊彥，半導體元件物理與製作技術，高立圖書有限公司。＜我要買書＞

❒ 光阻(Photoresist)
「光阻(Photoresist)」是一種塑膠，也就是一種有機高分子化合物，當這種塑膠被電子束或紫外光等高能量照射以後，會發生化學反應使光阻產生變化，一般晶圓廠使用的光阻有兩種：
➤正光阻(Positive photoresist)：被紫外光照射到的部份產生化學反應，使化學鍵結變鬆散而容易被顯影液溶解掉。換句話說，「有被紫外光照射到的區域」會被溶解掉。
➤負光阻(Negative photoresist)：被紫外光照射到的部份產生化學反應，使化學鍵結變堅固反而不容易被顯影液溶解掉。換句話說，「沒有被紫外光照射到的區域」會被溶解掉。

目前晶圓廠較常使用的是「正光阻」，因此這裡都是以正光阻的情形為例來說明。此外，光阻被紫外光照射後會產生化學反應，但是白光燈管會發出一部分紫外光，所以晶圓廠中凡是使用到光阻的地方都不能使用白光照明，必須使用黃光照明，我們稱為「黃光區」，所以這種技術就稱為「黃光微影」。

【請注意】上述內容經過適當簡化以適合大眾閱讀，與產業現狀可能會有差異，若您是這個領域的專家想要提供意見，請自行聯絡作者；若有產業與技術問題請參與社群討論。
 

【延伸閱讀】其他詳細內容請參考「積體電路與微機電產業，全華圖書公司」。＜我要買書＞

【文章圖示】CC BY-SA 3.0。