磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)是由Honeywell公司首先於1997年推出1MB產品，接著IBM與Infineon公司、Motorola、Sony、Toshiba、NEC、Samsung等公司相繼投入研發，它的構造與一般的電儲存元件完全不同，電源關閉後資料仍然可以保存，屬於「非揮發性記憶體」，具有所有儲存元件的優點。