隨機存取記憶體(RAM)
Hightech
2018-11-18 20:03
A20170813001
隨機存取記憶體(RAM：Random Access Memory)是指記憶體讀取或寫入資料所需要的時間與這段資料所在的位置無關。使用時可以讀取資料也可以寫入資料，目前使用最廣泛的隨機存取記憶體為SRAM與SDRAM，當電源關閉以後資料立刻消失，屬於「揮發性記憶體(Volatile memory)」。
動態隨機存取記憶體(DRAM：Dynamic RAM)
Hightech
2017-09-16 21:03
A20170813002
以1個電晶體加上1個電容來儲存1個位元(1bit)的資料，而且使用時「需要」週期性地補充電源來保持記憶的內容，故稱為「動態(Dynamic)」。DRAM構造較簡單(1個電晶體加上1個電容來儲存1個位元的資料)使得存取速度較慢(電容充電放電需要較長的時間)，但是成本也較低，因此一般製作成對容量要求較高但是對速度要求較低的記憶體。
鐵電隨機存取記憶體(FRAM：Ferroelectric RAM)
Hightech
2018-12-29 21:47
A20170813003
鐵電隨機存取記憶體(FRAM：Ferroelectric RAM)是由美國Ramtron公司首先提出的結構，早期也有日本Panasonic公司推出16MB的產品，韓國Sumsang公司推出16KB的產品，目前這種記憶體的容量都已經增加到256MB以上，已經具有實用價值。
磁阻式隨機存取記憶體(MRAM：Magnetic RAM)
Hightech
2017-09-16 21:10
A20170813004
磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)是由Honeywell公司首先於1997年推出1MB產品，接著IBM與Infineon公司、Motorola、Sony、Toshiba、NEC、Samsung等公司相繼投入研發，它的構造與一般的電儲存元件完全不同，電源關閉後資料仍然可以保存，屬於「非揮發性記憶體」，具有所有儲存元件的優點。
電阻式隨機存取記憶體(RRAM：Resistive RAM)
Hightech
2018-10-21 20:08
A20170902001
電阻(Resistor)的單位為「歐姆(Ohm)」，是阻礙電子流動的元件，通常使用電阻較大的金屬或陶瓷(金屬氧化物)製作，電阻式隨機存取記憶體(RRAM)的工作原理上層電極與下層電極之間夾著一層特別的絕緣材料，絕緣材料的電阻值會因為外加電壓大小不同而改變，利用電阻改變儲存資料。
相變隨機存取記憶體(PCRAM：Phase Change RAM)
Hightech
2018-02-05 22:45
A20170902003
相變隨機存取記憶體(PCRAM)又稱為「相變記憶體(PCM：Phase Change Memory)」或「雙向通用記憶體(OUM：Ovonic Unified Memory)」，電源關閉後資料仍然可以保存，屬於「非揮發性記憶體」，目前Samsung、Hitachi、Renesas、Intel、STMicro等公司都有新的研發成果。
唯讀記憶體(ROM)
Hightech
2018-11-18 20:10
A20170902004
唯讀記憶體(ROM：Read Only Memory)使用時只能讀取資料而無法寫入資料，當電源關閉後資料仍然存在，由於資料不易更改，一般應用在個人電腦BIOS晶片或不需要常常更改資料的地方，依照特性又可以分為Mask-ROM、P-ROM、EP-ROM、EEP-ROM等四種。
快閃記憶體(Flash ROM)
Hightech
2018-12-16 22:07
A20170903001
快閃記憶體(Flash ROM)是目前使用量最大的可攜帶式電儲存元件，由於使用MOS製程製作在矽晶片上，不但體積小而且非常省電，已經廣泛地應用在各種攜帶式電子產品，由於3D立體結構的發展，大量的使用在「固態硬碟(SSD：Solid State Disk)」上。
