金屬－半導體場效電晶體(MESFET)簡稱為「MES」，一般使用砷化鎵晶圓製作，由於砷化鎵晶圓很難以「高溫氧化」的方式在表面成長氧化物，因此閘極只能使用「金屬－半導體」的結構，後來又發展出特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT)」，大部分應用在「類比積體電路」。