金屬半導體場效電晶體(MESFET)是很好的高頻放大器元件，但是仍然有許多缺點，後來又發展出下層無摻雜磊晶，上層有摻雜特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT：High Electron Mobility Transistor)」，大部分應用在「類比積體電路」。