由於線寬小、面積小、CMOS數目多是未來積體電路(IC)發展的趨勢，為了要滿足這些條件就必須使用多層導線技術，而多層導線中每一層都必須非常平坦才能再堆疊另一層，因此必須使用「化學機械研磨(CMP)」來將各層金屬表面「磨平」，這使化學機械研磨(CMP)成為是否可以成功地躍進到90nm(奈米)，甚至65nm、45nm、22nm以下製程的重要關鍵。