電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生，屬於「化學氣相沉積(CVD)」，由於只需要高真空，而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積，成本較低適合工廠大量生產。最大的特色是無論材料熔點高低均可使用，通常用來製作積體電路金屬導線、硬碟類鑽石保護膜等。