高溫氧化在成長薄膜的過程中有化學反應發生，屬於化學氣相沉積(CVD)，可以快速在基板上成長厚度均勻且緻密的氧化物薄膜，成本較低適合工廠大量生產，通常用來製作矽晶圓的氧化層(氧化矽薄膜)。